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微电子所毫米波GaN功率器件研制成功

2016-7-22 11:08| 发布者: zora| 查看: 169| 评论: 0|来自: 微波射频网

摘要:   微波射频网消息:近日,毫米波GaN功率器件在微电子研究所微波器件与集成电路研究室(四室)研制成功。该研究项目得到了国家基金委和相关部门的支持。   毫米波GaN功率器件采用凹栅槽与T型栅结合的新结构,有效缩 ...

  微波射频网消息:近日,毫米波GaN功率器件在微电子研究所微波器件与集成电路研究室(四室)研制成功。该研究项目得到了国家基金委和相关部门的支持。

  毫米波GaN功率器件采用凹栅槽与T型栅结合的新结构,有效缩短了栅长,降低了寄生电容。其截止频率(fT)104.3GHz,最高振荡频率(fmax)达到160GHz。30G下MAG达到13.26dBm,并进行了30G下的功率测试,是国内目前已知相关研究中的最高频性能。

  GaN器件和电路是一直是国内外的研究热点,在光电子和微电子领域有着广阔的应用前景。毫米波GaN功率器件在研究中面临着材料和器件设计、关键技术等多方面的难题,微电子所毫米波研究小组大胆创新,在各个材料单位的密切配合下,获得重大突破,攻克了多项关键技术难关,建立了完整的工艺流程,极大的推动了国内GaN器件与电路的研究进展。

                                                                    图1 最高截止频率fT =104.3GHz

                                                                         

                                                                      图2 最高振荡频率fmax=160GHz


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