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TriQuint 发布最新 GaN 器件

2016-7-22 11:06| 发布者: zora| 查看: 235| 评论: 0|来自: 微波射频网

摘要:   作为氮化镓(GaN)研发领导者,TriQuint公司为最新推出的封装型GaN器件而感到骄傲。T1G6000528-Q3提供了高达7W的输出功率和在宽带宽范围内的高效率(大于50%)。创新的T1G6000528-Q3是窄带和宽带应用的理想选择,在2 ...

  作为氮化镓(GaN)研发领导者,TriQuint公司为最新推出的封装型GaN器件而感到骄傲。T1G6000528-Q3提供了高达7W的输出功率和在宽带宽范围内的高效率(大于50%)。创新的T1G6000528-Q3是窄带和宽带应用的理想选择,在20 MHz 到 6 GHz范围内有卓越的性能表现。该产品可应用于多个领域,如专业无线电系统、干扰器、雷达解决方案、移动基础设施、WiMAX和宽带放大器。

  关于TriQuint 半导体

  TriQuint 半导体公司采用砷化镓(GaAs)、氮化镓 (GaN)、声表面波 (SAW) 和体声波 (BAW)技术设计、开发和生产先进的高性能射频解决方案,满足全球客户需求。我们是市场领导者,专门为移动设备,3G和4G蜂窝基站,WLAN, WiMAX,GPS, 国防与航空等领域的客户提供各种服务。

  TriQuint公司是业内最为灵活的 GaAs 代工业务供应商,提供完整的支持服务。TriQuint解决方案基于行业最丰富的专有技术组合,可快速取得设计回报、提高产品性能、减少原料使用数量。我们是高性能解决方案获奖供应商,拥有为客户提供设计、销售和生产设施服务的全球网络。


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