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松下将推出业界最小的增强型600V GaN功率晶体管封装

2016-7-22 10:50| 发布者: zora| 查看: 256| 评论: 0|来自: 微波射频网

摘要:   松下公司(Panasonic)日前宣布将推出业界最小的增强型氮化镓(GaN)功率晶体管(X-GaNTM)**封装。GaN封装采用8x8双平面无引线(DFN)表面粘装型封装。可将该封装安装在传统上难以安装的极小区域,有助于降低工业和消费 ...

  松下公司(Panasonic)日前宣布将推出业界最小的增强型[1]氮化镓(GaN)[2]功率晶体管(X-GaNTM)**封装。GaN封装采用8x8双平面无引线(DFN)表面粘装型封装。可将该封装安装在传统上难以安装的极小区域,有助于降低工业和消费电子设备的功耗。

  *:截至2015年5月18日,根据松下公司调查,该600-V增强型GaN功率晶体管的占用空间。

  **:X-GaN是松下公司的商标。

  增强型晶体管的击穿电压为600V,该产品实现200V/ns的高速开关和54—154mΩ的低导通电阻[3]。松下公司将于2015年7月启动10A型(PGA26E19BV)和15A型(PGA26E08BV)产品样品出货。

  功率晶体管是用于控制电源的半导体器件。GaN是性能卓越的半导体化合物之一。当将它应用于晶体管时,可实现比硅(Si)和碳化硅(4H-SiC)更卓越的开关性能和更高的击穿电压。

  我们的传统型GaN功率晶体管采用高导热表面贴装型封装TO220(尺寸:15 x 9.9 x 4.6mm),然而该封装还不够小,而且电子设备印刷电路板上的安装面积十分有限。

  使用表面贴装型封装时,寄生电感[4]降低,因此,可在600V高电压下以8 x 8 x 1.25mm的更小尺寸实现GaN功率晶体管的内在特征和出色的开关性能。功率晶体管正被快速引入电子设备中,它有助于降低能耗。

  该产品将亮相2015年5月19-21日于德国纽伦堡举行的2015年度电力转换与智能运动展览会(PCIM 2015)。

松下将推出业界最小的增强型600V GaN功率晶体管封装*

  [产品特点]

  1、其采用新开发的全球最小GaN表面贴装型封装DFN 8x8(8 x 8 mm x 1.25 mm,其占用空间仅为公司传统TO-220封装产品的43%),专为GaN功率晶体管优化。

  2、表面贴装型封装的采用降低了寄生电感,实现200V/ns的高速开关性能。

  3、在6英寸硅衬底上实现的松下原创栅极注入晶体管(GIT)[5]实现了增强型模式。

  GaN功率晶体管更便于应用于AC-DC电源装置(功率因数校正、隔离DC-DC转换器)、电池充电系统、PV功率调节器和EV逆变器。

  松下公司拥有200项国内专利和180项海外专利,其中包括一些待审批的发明申请,例如,松下原创的GIT结构的基本专利US 8779438和利用常关操作的驱动系统的基本专利US 8299737。

  这项工作部分受到日本新能源和工业技术发展组织(NEDO)之“节能技术项目战略发展”计划的支持。

  [术语解释]

  [1] 增强型

  增强型晶体管是一种单器件晶体管,其能够实现常关特征,这是半导体器件的一种特征,当未向栅极施加电压时,可以防止电流在源极和漏极之间流动。

  [2] 氮化镓(GaN)

  氮化镓是三五族半导体,具有较宽的能带隙(价带和导带之间)。能带隙较大的材料通常具有更高的击穿电压。

  [3] 导通电阻

  导通电阻为晶体管通电(导电状态)时晶体管源极和漏极之间的电阻。

  [4] 寄生电感

  寄生电感是存在于电子元器件封装中的意外电感分量。尽管这种电感对于频率为50或60赫兹的电源装置来说不是问题,但是它们可能是GaN电源装置高速运行(工作频率:几百千赫兹到几兆赫兹)的一个巨大障碍。

  [5] 栅极注入晶体管(GIT)

  GIT是一种最初由松下半导体解决方案公司研发的常关型GaN晶体管。新的工作原理基于空穴注入时漏极电流的增加,其被用于维持低导通电阻和增强型模式之间的兼容性。

  关于松下

  松下公司是一家致力于为消费电子产品、住宅、汽车、企业解决方案及器件行业的客户开发各种电子技术和解决方案的全球领军企业。自1918年成立以来,松下已将业务扩张至全球,目前在全世界范围内共经营468家附属公司和94家联营公司。截至2015年3月31日,其合并净销售额达7.715万亿日元。松下致力于通过各部门的创新来追求新的价值,并努力运用公司的技术为客户创造更美好的生活和世界。


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