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飞思卡尔推出突破性的超宽带RF功率GaN晶体管,采用先进塑封

2016-7-22 10:41| 发布者: zora| 查看: 5017| 评论: 0|来自: 微波射频网

摘要:   这两款新产品提供了前所未有的RF PA带宽和热性能,   非常适合新一代军用和民用通信应用   射频(RF)功率晶体管领域的全球领导者飞思卡尔半导体日前推出两款采用全新先进塑料封装的超宽带RF功率氮化镓(GaN)晶 ...

  这两款新产品提供了前所未有的RF PA带宽和热性能,

  非常适合新一代军用和民用通信应用

  射频(RF)功率晶体管领域的全球领导者飞思卡尔半导体[Freescale Semiconductor, Inc., NYSE:FSL]日前推出两款采用全新先进塑料封装的超宽带RF功率氮化镓(GaN)晶体管。借助这些新型封装和产品,飞思卡尔正在释放GaN性能的真正潜力,并在提供业界最佳性能的GaN器件方面,已经取得了重大突破。

飞思卡尔推出突破性的超宽带RF功率GaN晶体管,采用先进塑封

  飞思卡尔高级副总裁兼射频业务部总经理Paul Hart表示:“借助这两款业界领先带宽的产品,我们的客户采用一个射频器件替换两个甚至三个独立的RF PA器件,大大降低了系统成本。 此外,这些器件具有超低的热阻,可使客户降低冷却系统的成本,而且它们能够以全连续波(CW)额定功率运行,满足更高温度的应用情况。”

  OM-270新封装提供双引脚和八引脚配置,还可将飞思卡尔专用OMNI™RF塑封技术拓展至最小外形封装中,并增加与GaN的兼容性。

  飞思卡尔Fellow兼RF封装开发部负责人Mali Mahalingam表示:“我们不断创新,采用冶金方式将GaN-on-SiC芯片与铜法兰相结合,然后将它们模压塑形,实现前所未有的热性能。此外,这种新封装的平台支持复杂的内部匹配方案,实现卓越的宽带性能。”

  飞思卡尔以下两个封装的RF功率GaN晶体管充分利用这种先进的封装技术,提高性能水平:

  MMRF5015N:这是一款真正的CW超带宽GaN晶体管,功率为100W,电压为50V,非常适合高功率军用和民用通信系统。MMRF5015N的热阻不到0.8°C/W,这表明它比同类竞争产品的热阻性能高30%以上。MMRF5015N样品可以在评估套件中提供,展示前所未有的200-2500MHz带宽,实现全频段天线至少12db的增益和40%的效率提高。

  MMRF5011N:这是一款真正的CW超带宽晶体管,功率为10W,电压为28V,在可用应用电路中带宽为200-2600MHz。MMRF5011非常适合更低功耗的军用和民用手持无线电通信设备,现在已开始提供样品。

  飞思卡尔将在2015年国际微波会议(IMS)第3031号展位展示和演示这些晶体管。

  这两款新产品计划2015年第三季度批量生产,它们包含在飞思卡尔产品长期供货计划内,因为所有产品都属于射频军用产品组合。

  关于飞思卡尔半导体

  飞思卡尔半导体(NYSE:FSL)为未来互联网提供安全可靠的嵌入式处理解决方案。我们的解决方案帮助实现更多创新,让世界紧密连接,生活更便捷和安全。飞思卡尔的客户包括全球规模最大的公司,并且,我们致力于对科学、技术、工程和数学(STEM)方面教育的支持,推动新生代的创新。

  关于飞思卡尔技术论坛

  飞思卡尔技术论坛(FTF)十年来基于业内最全面的嵌入式生态合作体系,促进创新与协作。飞思卡尔技术论坛提供客户创建并实现安全的嵌入式解决方案所需的培训和专业知识,帮助其满足当今和未来物联网的需求。飞思卡尔技术论坛为期4天,涵盖飞思卡尔及其生态合作体系伙伴提供的深入培训、实践研讨会及演示活动,并为业内同仁及高瞻远瞩者提供不可多得的合作机会。 该论坛已受到全球开发者社区的热烈追捧,自2005年成立以来吸引了67500多名全球参与者。飞思卡尔美洲论坛将于2015年6月22日至25日在德克萨斯州奥斯汀隆重举行。


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